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长春市高新区锦河街155号，中国·吉林东北亚文化创意科技园实验楼3层303
2英寸Ga2O3氧化镓外延片
2019/08/15
详细内容
氧化镓是新一代功率半导体和深紫外光电子半导体材料，其禁带宽度为4.9eV，远远大于氮化镓（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁带宽度。在功率半导体方面，氧化镓的击穿电场强度是硅的20多倍，是碳化硅和氮化家的2倍多，氧化镓的击穿电场强度可达8MV/cm。由于氧化镓在诸多领域的重要应用价值,氧化镓材料和器件的研究与应用，已成为当前研究与开发的热点和重点。为此，我们提供2英寸Ga2O3外延片和2英寸的Ga2O3单晶衬底。
主要参数指标：
外延层 | 参数指标 |
掺杂剂 | Si (n-型) |
掺杂浓度 | 可指定在2x1016 和9x1016 cm-3之间 |
外延层厚度 | 指定在5和10μm之间 |
外延片衬底 | 参数指标 |
掺杂剂 | Sn (n-型) |
掺杂浓度 | 1~9x1018 cm-3 |
晶面 | (001) |
尺寸 | Φ2 英寸 |
厚度 | 0.65 mm |
XRD FWHM | ≦350 arcsec |
偏离角度 | 0°±1° |