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长春市高新区锦河街155号,中国·吉林东北亚文化创意科技园实验楼3层303
Ga2O3 (010)面生长的(AlxGa1-x)2O3外延片
2019/08/15
详细内容
氧化镓是新一代功率半导体和深紫外光电子半导体材料,其禁带宽度为4.9eV,远远大于氮化镓(3.3eV)、碳化硅(3.4eV)和硅(1.1eV)的禁带宽度。在功率半导体方面,氧化镓的击穿电场强度是硅的20多倍,是碳化硅和氮化家的2倍多,氧化镓的击穿电场强度可达8MV/cm。由于氧化镓在诸多领域的重要应用价值,氧化镓材料和器件的研究与应用,已成为当前研究与开发的热点和重点。为此,我们提供(AlxGa1-x)2O3外延片和相应的的Ga2O3单晶衬底。
主要参数指标:
外延层 | 参数指标 | ||
Al的摩尔分数 | x≦0.23 | ||
掺杂剂 | Si (n-型) | ||
掺杂浓度 | ≦1x1018 cm-3 | ||
外延层厚度 | ≦60 nm | ||
外延片衬底 | 参数指标 | ||
掺杂剂 | Sn (n-型) | Fe(半绝缘) | |
掺杂浓度 | 1~9x1018 cm-3 | - | |
电阻率 | - | ≧1010 Ωcm | |
晶面 | (010) | ||
尺寸 | 10x15 mm2 | ||
厚度 | 0.5 mm | ||
XRD FWHM | ≦150 arcsec | ||
偏离角度 | 0°±1° |